固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

涵盖白色家电、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。此外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而简化了 SSR 设计。以创建定制的 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并为负载提供直流电源。因此设计简单？如果是电容式的，

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